细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅水洗工艺
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【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法 电子工程专辑 EE Times
2023年9月25日 本文介绍了一种新的碳化硅（SiC）晶圆清洗方法。 我们发现在RCA清洗中，氟化氢（HF）溶液浸渍处理会破坏SiC，因此设计了一种新的不使用HF的清洗方法，并将清洗过程减少到三步。碳化硅晶片清洗是保证其性能和可靠性的重要步骤。 通过预清洗、酸洗、碱洗、水洗、二次清洗和干燥等工艺步骤，可以有效去除晶片表面的杂质和污染物，提高晶片的纯净度。 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅晶片清洗工艺 在进行碳化硅晶片清洗之前，首先需要对晶片进行预处理，以去除表面的有机物和杂质。 常用的预处理方法包括超声波清洗、酸洗和碱洗等。 超声波清洗可 2024年3月7日 目前，碳化硅晶体的生长技术和器件的制造工艺已达到高水平成熟度，并在全球范围内形成了完整的材料、器件和应用领域产业链。 尽管技术已日趋成熟， 但生产 「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现
碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅晶片的清洗工艺是保证其性能和可靠性的重要环节。 通过合理选择清洗溶液、准备清洗设备和工具，以及遵循正确的清洗步骤和注意事项，可以有效地清洗碳化硅晶片，保 2023年10月25日 碳化硅晶圆清洗的方法 碳化硅具有宽禁带的特点，因此碳化硅有望成为下一代功率器件的优秀材料，RCA清洗通常用于Si晶圆制造，但这类清洗针对Si晶圆进行 碳化硅晶圆清洗的方法 合明科技
碳化硅功率器件生产工艺流程和功率器件封装清洗介绍 合
2024年1月12日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等 2024年6月27日 在加工碳化硅过程中，需要通过水洗来进一步除去碳化硅中的部分石墨，从而进一步提高碳化硅的整体含量，使碳化硅颗粒、碳化硅砂晶莹洁亮、呈现半金属光泽。碳化硅水洗的原理连云港兰德碳化硅有限公司
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碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 电子发烧友网
2022年4月7日 这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压 (MCV)绘图后的痕量表面污染水平与后续清洗后的水平进行了比较。 在MCV期间，痕量金属如汞、 2022年12月1日 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘等组成，如图2所示。一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
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知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎 VDOM碳化硅晶片清洗工艺碳化硅晶片清洗工艺引言：碳化硅晶片是一种常见的半导体材料，在电子行业中得到广泛应用。为了保证其性能和可靠性，碳化硅晶片在生产过程中需要进行清洗处理。本文将介绍碳化硅晶片清洗工艺的相关内容。一、清洗前准备在进行碳化硅晶片清洗之前，需要做好以下准备 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 电子发烧
2022年4月7日 碳化硅 (SiC)器件制造工艺中的清洗方法碳化硅 (SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。 材料参数差异包括扩散系数、表面 2023年10月12日 稀释化学品法，IMEC法，干法清洗以及干洗和湿洗的组合都有助于减少各种化学品和去离子水的使用。 人们仍在研究更有效的清洗技术，例如在面对制程更小、集成度更高的工艺时，清洗与兆声波的有效配合可以去除更细颗粒物。半导体清洗：工艺、方法和原理、RCA清洗、湿法清洗
单晶硅清洗工艺 百度文库
单晶硅清洗工艺拉）（100合溶液110℃）去除硅片 清洗硅片 进一步清 充分洁净 充分干燥表面磷硅 表面残留 洗硅片表 硅片表面 硅片表面玻璃溶液面残留液35二次清洗腐蚀原理：二次清洗因为在扩散中磷硅玻璃在较低的温度就形成了：4 POCl3 + 3 O2 = 2 P2O5 + 6 Cl2 2017年2月23日 1一种碳化硅冶炼的废气回收工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将碳化硅密闭炉碳化硅废气接入到吸风机的入口，从而对碳化硅废气进行收集，将其通过管道经过吸附网，吸附碳化硅废气中油脂；S2、将S1中吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温，且将废气温度降至4050摄氏度，并通过 一种碳化硅冶炼的废气回收工艺 百度学术
金属镍－碳化硅纳米复合电镀工艺研究技术磨料磨具网
2011年6月27日 摘要 摘要：采用复合电镀技术在炭素结构钢板的表面上制备高硬度的Ni－SiC纳米复合镀层，研究镍－碳化硅纳米复合电镀的工艺条件。结果表明，当阴极电流密度为2．56A／dm2，镀液中纳米碳化2020年6月10日 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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娄禾谤杀醇糟泰：壶灰励尖，RCA跨祝箱，惰篷旷照辑，IMEC牡
Explore Zhihu's column that allows for free expression and writing at your leisure碳化硅晶片清洗工艺7 检验：对清洗后的碳化硅晶片进行质量检验，确保清洗效果符合要求。四、注意事项在碳化硅晶片清洗过程中，需要注意以下事项：1 选择合适的清洗剂和清洗条件，避免对碳化硅晶片造成损害。2 控制清洗时间和温度，避免过长或过高导致晶片变形或损坏。3 使用纯净的 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
2024年5月31日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。 比如SiC大量使用了干蚀刻 (Dry etch)，还有高温离子注入工艺，注入的元素也不一样。2022年4月7日 碳化硅切割工艺流程介绍 哔哩哔哩 2023年8月31日 显而易见，碳化硅取代硅基是大势所趋。国玉科技碳化硅晶圆切割划片设备 碳化硅切割，也称划片，是芯片制造工艺流程中一道不可或缺的工序，即通过切割技术将做好芯片的整片碳化硅晶圆进行分割，从而形成独立的单颗晶片，为后续工序做准备。碳化硅水洗工艺
碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
2022年5月20日 王洪涛等[3] 以SiC粗粉为原料,通过球磨工艺制备高性能超细SiC 微粉,制得了10 μm 以下的碳化硅粉体。2020年4月3日 摘要：通过大量试验研究，确定采用“水洗+化学沉淀工艺”无害化处理铝厂电解槽废耐火砖的最佳工艺条件。其中水洗脱氟工艺:液固比4:1,反应时间30min,粒度325~700um;氟化钙制备工艺:常温，pH为9,石灰水浓度25%、充分反应30min。采用该工艺可实现铝厂废耐火砖的资源化利用，最终产品为碳化硅粉和 废旧耐火砖的无害化处理技术
碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 艾邦半导体网
2 天之前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统机械磨抛拥有较高的材料去除 率，但是其加工质量较差，且损伤严重；而化学腐蚀 反应磨抛的加工质量较好，但是较低的材料 2019年7月18日 带你全方位了解碳化硅 (SiC) 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量 带你全方位了解碳化硅 (SiC) ROHM技术社区
一种碳化硅晶片的清洗方法与流程 X技术网
2019年4月5日 本申请涉及一种碳化硅晶片的清洗方法，属于半导体材料制备领域。背景技术碳化硅作为最重要的第三代半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。由于SiC晶片加工中需要由许多有机物和 本发明涉及一种碳化硅陶瓷微粉的提纯方法，特别是一种，该酸洗提纯方法包括混料、酸洗提纯、水洗、喷雾干燥等步骤。本发明的技术方案具有工艺简单、操作周期短、提纯除杂效果好、酸量可控、成本低和劳动强度、环境友好等特点。专利说明所属[0001]本发明涉及一种碳化硅陶瓷微粉的提纯方法 亚微米级碳化硅微粉的酸洗提纯方法 X技术网
碳化硅封装——三大主流技术！电子工程专辑
2023年9月26日 碳化硅 (silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。 如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温 2023年11月10日 详解碳化硅PVT长晶工艺 一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。 研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于制备6HSiC晶型，且与籽晶晶 详解碳化硅PVT长晶工艺
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知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎 VDOM碳化硅晶片清洗工艺碳化硅晶片清洗工艺引言：碳化硅晶片是一种常见的半导体材料，在电子行业中得到广泛应用。为了保证其性能和可靠性，碳化硅晶片在生产过程中需要进行清洗处理。本文将介绍碳化硅晶片清洗工艺的相关内容。一、清洗前准备在进行碳化硅晶片清洗之前，需要做好以下准备 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
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2022年4月7日 碳化硅 (SiC)器件制造工艺中的清洗方法碳化硅 (SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。 材料参数差异包括扩散系数、表面 2023年10月12日 稀释化学品法，IMEC法，干法清洗以及干洗和湿洗的组合都有助于减少各种化学品和去离子水的使用。 人们仍在研究更有效的清洗技术，例如在面对制程更小、集成度更高的工艺时，清洗与兆声波的有效配合可以去除更细颗粒物。半导体清洗：工艺、方法和原理、RCA清洗、湿法清洗
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单晶硅清洗工艺 百度文库
单晶硅清洗工艺 拉） （100 合溶液 110℃） 去除硅片 清洗硅片 进一步清 充分洁净 充分干燥 表面磷硅 表面残留 洗硅片表 硅片表面 硅片表面 玻璃 溶液 面残留液 f35二次清洗腐蚀原理： 二次清洗 因为在扩散中磷硅玻璃在较低的温度就形成了：2017年2月23日 1一种碳化硅冶炼的废气回收工艺，其特征在于，包括如下步骤：S1、将碳化硅密闭炉碳化硅废气接入到吸风机的入口，从而对碳化硅废气进行收集，将其通过管道经过吸附网，吸附碳化硅废气中油脂；S2、将S1中吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温，且将废气温度降至4050摄氏度，并通过 一种碳化硅冶炼的废气回收工艺 百度学术
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2011年6月27日 摘要 摘要：采用复合电镀技术在炭素结构钢板的表面上制备高硬度的Ni－SiC纳米复合镀层，研究镍－碳化硅纳米复合电镀的工艺条件。结果表明，当阴极电流密度为2．56A／dm2，镀液中纳米碳化2020年6月10日 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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