细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
干法二氧化硅机
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 百度学术
主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺运用反应离子刻蚀设备 (R IE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 在半导体工艺中,刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅表面去除不需要的材料,在硅片上复制所需图形的工艺步骤反应离子蚀刻的各向异性可以实现细 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 百度学术
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 百度文库
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 一 系列 的刻蚀 实验 ， 采用 不 同的工 艺条 件对二氧 化硅 进行选择 刻蚀 工艺研 究 ， 出 了不同工 艺条件 得 对 应的刻蚀速 率 、 匀性 、 择 比等刻 摘要主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺。 运用反应离子刻蚀设备 (R IE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究【维普期刊官网】 中文期刊
第五讲 XeF2/VHF干法硅/氧化硅刻蚀技术与应用实例 先进
2022年6月2日 腾讯会议 【讲座主题】第五讲 XeF2/VHF干法硅/氧化硅刻蚀技术与应用实例 (Vapor Release Etching) 【讲座时间】2022年6月2日 (周四) 19:0020:30 【报告人 2018年10月17日 SiO2材料HF蒸汽干法刻蚀是无水HF气相刻蚀工艺，采用以气态乙醇作为载气与气态HF混合后，对SiO2介质进行选择性刻蚀。 主要用于≤4寸样品。HF干法刻蚀机
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 百度文库
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 作者：*** 来源：《环球市场》2017年第20期 摘要：在半导体工艺中，刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅表面去除不需要的材料，在硅片上复制 2024年6月25日 干法刻蚀 干法刻蚀是用等离子体化学活性较强的性质进行薄膜刻蚀的技术。 根据使用离子的刻蚀机理，干法刻蚀分为三种：物理性刻蚀、化学性刻蚀、物理化学 干法刻蚀 先进电子材料与器件校级平台
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究doc 豆丁网
2017年5月15日 使用实验硅片作为衬底材料,采取CVD方法在衬底生成二氧化硅层,在一定的沉积工艺条件下,通过控制沉积时间来控制二氧化硅膜厚,各片沉积生成二氧化硅薄膜的工 A Zhihu column where you can freely express your thoughts through writing知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
实验室干法二氧化硅细粉分级机厂家 埃尔派狠抓质量优化工艺
2021年5月22日 实验室干法二氧化硅细粉分级机厂家 客户EPC项目的顺利落地，离不开埃尔派的实力支撑。 完备的生产基地：拥有现代化的大型装备制造基地50000㎡，各类生产加工设备100多套。二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究 摘要 采用CHF3、CF4、CHF3+CF4、CHF3+O2和CF4+O2五种工艺气体体系对二氧化硅 (SiO2)作反应离子刻蚀实验,在确定最优刻蚀气体基础上,研究射频功率和气体流量配比对刻蚀速率、均匀性和选择比等主要刻蚀参数的 展开更多 二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究【维普期刊官网】 中文
小型干法二氧化硅粉末分级机厂家 埃尔派通过各项工艺保障粉
2021年11月30日 埃尔派专注于气流粉碎机、机械粉碎机、气流分级机、球磨分级生产线、表面改性生产线等设备的研发制造和系统集成 工厂全景 网站首页 关于埃尔派 粉体设备 粉碎机 分级机 实验室设备 改性机 新闻中心 2017年5月15日 二氧化硅（SiO2）具有硬度高、耐磨性好、绝热性 [3－4] ，前，对SiO2干法刻蚀工艺的研究较多但采用 不同气体体系对SiO2刻蚀进行对比研究的报道较二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究杨光doc 豆丁网
浅谈氮化硅的刻蚀及其应用百度文库
d）由于要将下面的SiO2进行腐蚀，并避免长时间腐蚀的过腐蚀问题。还是采用干法刻蚀的方法，再将残留的氧化物用高温HF溶液腐蚀约5min后即可看见硅色。 3、Si3N4薄膜的其它应用 31 Si3N4薄膜在光刻掩膜版上的应用原理 Si3N4等离子刻蚀的气体通常有CF4、SF6、SiCl4、NF3等 21 Si3N4薄膜的干法刻蚀 211干法 瘩邻讽舍 1跪哈僧株愿：担道唯窥堪严棉渠订急隧幽储蓝留孔诫下棍情暗晦盔曼瞒均仑 乙砌罚酣讥狞磕耀 间汪治赴钦刀崖熟雕众混 知乎
上海科技大学量子器件中心(SQDL) 工艺设备SOP
2023年10月17日 本设备采用以气态乙醇作为载气与气态HF 混合后,对牺牲层SiO2介质进行选择性刻蚀来释放结构。主要用于4 寸及以下样品。2021年11月8日 实验室拟采购“GaN干法刻蚀机、高深宽比硅和二氧化硅干法刻蚀机采购”项目，预算总金额为元，具体内容详见下表，技术参数、商务条件详见附件《采购需求》。关于“GaN干法刻蚀机、高深宽比硅和二氧化硅干法刻蚀机采购
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 道客巴巴
2019年6月26日 ©1994010ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouseki微 处 理 机MICROPROCESSORS二氧化硅的干法刻蚀工艺研究严 干法 刻蚀 是用 等离子体 进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体 化学活性 比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体 干法刻蚀 百度百科
zhuanlanzhihu
Explore a variety of topics and opinions on Zhihu's column platform, where you can write and express freely2011年5月8日 摘 要:主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺。运用反应离子刻蚀设备 (R IE150 ×4)进行了 一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件 对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较与分析,得到了相对最佳的工艺 条件。 关键词:反应 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究pdf 豆丁网
DRIE 百度百科
DRIE，全称是Deep Reactive Ion Etching，深反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺。 基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。 与反应离子刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。 不同之处在于：2024年6月25日 AEMD的氧化硅片是运用热氧化工艺，通过常压炉管设备在高温（800℃~1150℃）条件下，通过氧气或者水蒸气的方式在硅片的表面生长而成的二氧化硅薄膜。加工的厚度范围从50纳米到2微米，工艺温度高达1100摄氏度，生长方式分为“湿氧”和“干氧”两种。热氧化层是一种“生长”而成的氧化物层 氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台
二氧化硅清洁机（二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究）
2022年7月15日 它的热能比二氧化碳高出四个数量级，二氧化硅清洁机因此全球环保组织于 1994 年开始开发技术来减少此类气体的排放。 NF3对温室效应影响不大，可以替代上述含氟气体。半导体工业中使用的另一种制造工艺是使用等离子清洁器去除硅晶片上组件表面由感光有机材料制成的光刻胶。在开始堆叠 2020年10月25日 二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究 【摘要】采用反应离子体刻蚀机结合CHF3+SF6+O2混合气体 [1，2]刻蚀二 氧化硅的工艺研究，并且采用正交试验方法 [3]调整刻蚀参数，得出影响刻蚀倾 角的主要因素是CHF3和SF6。 适当增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蚀倾角 二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究doc 豆丁网
半导体光刻工艺之刻蚀——干法刻蚀 简书
2020年4月13日 在ULSI工艺中，Si3N4的用途主要有两种：一种是在二氧化硅层上通过LPCVD 淀积Si3N4薄膜，然后经过光刻和干法刻蚀形成图形，做为接下来氧化或扩散的掩蔽层，但是并不成为器件的组成部分。这类Si3N4薄膜可以使用CF4, CF4 (加O2, SF6和NF3)的等离子体刻蚀。2022年9月2日 此法工艺简单，二氧化硅干法刻蚀中掺入氧和氢的作用分别是什么对原料适应性强，但耗电量大，限制了其大规模推广。 20世纪60年代，美国离子弧公司通过直流电弧等离子体一步裂解锆英砂制备氧化锆。二氧化硅刻蚀机（二氧化硅干法刻蚀中掺入氧和氢的作用分别
为下一代芯片推出高选择性蚀刻科普知识 CAS
2022年3月28日 应用材料公司是家在 2016 年推出下一代选择性蚀刻系统（有时称为高选择性蚀刻）的供应商。现在，Lam Research、TEL 和其他公司正在推出具有高选择性蚀刻能力的工具，为未来的设备做准备例如 3D DRAM 和环栅晶体管。A Zhihu column where you can freely express your thoughts through writing知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
实验室干法二氧化硅细粉分级机厂家 埃尔派狠抓质量优化工艺
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二氧化硅的反应离子刻蚀工艺研究杨光doc 豆丁网
2017年5月15日 二氧化硅（SiO2）具有硬度高、耐磨性好、绝热性 [3－4] ，前，对SiO2干法刻蚀工艺的研究较多但采用 不同气体体系对SiO2刻蚀进行对比研究的报道较d）由于要将下面的SiO2进行腐蚀，并避免长时间腐蚀的过腐蚀问题。还是采用干法刻蚀的方法，再将残留的氧化物用高温HF溶液腐蚀约5min后即可看见硅色。 3、Si3N4薄膜的其它应用 31 Si3N4薄膜在光刻掩膜版上的应用原理 Si3N4等离子刻蚀的气体通常有CF4、SF6、SiCl4、NF3等 21 Si3N4薄膜的干法刻蚀 211干法 浅谈氮化硅的刻蚀及其应用百度文库
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瘩邻讽舍 1跪哈僧株愿：担道唯窥堪严棉渠订急隧幽储蓝留孔诫下棍情暗晦盔曼瞒均仑 乙砌罚酣讥狞磕耀 2023年10月17日 本设备采用以气态乙醇作为载气与气态HF 混合后,对牺牲层SiO2介质进行选择性刻蚀来释放结构。主要用于4 寸及以下样品。上海科技大学量子器件中心(SQDL) 工艺设备SOP
关于“GaN干法刻蚀机、高深宽比硅和二氧化硅干法刻蚀机采购
2021年11月8日 实验室拟采购“GaN干法刻蚀机、高深宽比硅和二氧化硅干法刻蚀机采购”项目，预算总金额为元，具体内容详见下表，技术参数、商务条件详见附件《采购需求》。2019年6月26日 ©1994010ChinaAcademicJournalElectronicPublishingHouseki微 处 理 机MICROPROCESSORS二氧化硅的干法刻蚀工艺研究严 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 道客巴巴
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